onsemi 单向, MMBZ16VALT1G 2 ESD 保护二极管, 共阳极, 表面安装, 最小击穿15.2 V, 40 W, SOT-23, 3引脚
- RS 库存编号:
- 186-9653
- 制造商零件编号:
- MMBZ16VALT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
¥37.85
(不含税)
¥42.75
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 250 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | RMB0.757 | RMB37.85 |
| 750 - 1450 | RMB0.734 | RMB36.70 |
| 1500 + | RMB0.712 | RMB35.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-9653
- 制造商零件编号:
- MMBZ16VALT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | ESD 保护二极管 | |
| 二极管配置 | 共阳极 | |
| 方向类型 | 单向 | |
| 最小击穿电压 Vbr | 15.2V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 最大反向关断电压 Vwm | 13V | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 峰值脉冲功耗 Pppm | 40W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 测试电流 It | 1mA | |
| 最大峰值脉冲电流 Ippm | 1.7A | |
| 钳位电压 VC | 23V | |
| ESD 保护 | 是 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | MMBZ A | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最大反向漏电流 | 50nA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 ESD 保护二极管 | ||
二极管配置 共阳极 | ||
方向类型 单向 | ||
最小击穿电压 Vbr 15.2V | ||
安装类型 表面 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
最大反向关断电压 Vwm 13V | ||
引脚数目 3 | ||
峰值脉冲功耗 Pppm 40W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
测试电流 It 1mA | ||
最大峰值脉冲电流 Ippm 1.7A | ||
钳位电压 VC 23V | ||
ESD 保护 是 | ||
最高工作温度 150°C | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 3.04mm | ||
标准/认证 No | ||
系列 MMBZ A | ||
高度 1.01mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最大反向漏电流 50nA | ||
SOT-23 封装允许两种单独的单向配置或单个双向配置
工作 Peak 反向电压范围－ 13V
标准齐纳击穿电压范围 -15.2 – 16.8 V
Peak Power （峰值功率）— 40 Watts @ 1.0 ms （单向）
每种人体模型的 ESD 等级为 N 级（超过 16kV ）
低泄漏< 5.0 μ A
箱体：无真空、转换模制、热固化塑料箱
表面：耐腐蚀表面，易于焊接
用于焊接的最大外壳温度： 260 ° C ，持续 10 秒
Peak Pulse 电流时的最大夹紧电压
为优化自动板装配而设计的封装
小型封装尺寸，适用于高密度应用
提供 8mm 胶带和卷装
支持 PPAP
需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用的 SZ 前缀