onsemi 单向ESD保护阵列, 复杂阵列, 贴片安装, 最小击穿6V, U-DFN1210
- RS 库存编号:
- 786-2962P
- 制造商零件编号:
- ESDR0502NMUTBG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1475 | RMB1.362 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 786-2962P
- 制造商零件编号:
- ESDR0502NMUTBG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 方向类型 | 单向 | |
| 二极管配置 | 复杂阵列 | |
| 最小击穿电压 | 6V | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | U-DFN1210 | |
| 最大反向待机电压 | 5.5V | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 峰值脉冲功率耗散 | 100W | |
| 最大峰值脉冲电流 | 3A | |
| ESD保护 | 是 | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 尺寸 | 1.2 x 1 x 0.5mm | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 最大反向漏电流 | 1µA | |
| 测试电流 | 1mA | |
| 高度 | 0.5mm | |
| 长度 | 1.2mm | |
| 宽度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
方向类型 单向 | ||
二极管配置 复杂阵列 | ||
最小击穿电压 6V | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 U-DFN1210 | ||
最大反向待机电压 5.5V | ||
引脚数目 6 | ||
峰值脉冲功率耗散 100W | ||
最大峰值脉冲电流 3A | ||
ESD保护 是 | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
尺寸 1.2 x 1 x 0.5mm | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
最大反向漏电流 1µA | ||
测试电流 1mA | ||
高度 0.5mm | ||
长度 1.2mm | ||
宽度 1mm | ||
低电容 ESD 保护阵列
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
瞬态电压抑制器，On Semiconductor