onsemi 单向TVS二极管阵列, 复杂阵列, 贴片安装, 最大钳位25V, 最小击穿6V, SOIC
- RS 库存编号:
- 802-4180
- 制造商零件编号:
- NUP4201DR2G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 802-4180
- 制造商零件编号:
- NUP4201DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 二极管配置 | 复杂阵列 | |
| 方向类型 | 单向 | |
| 最大钳位电压 | 25V | |
| 最小击穿电压 | 6V | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 峰值脉冲功率耗散 | 500W | |
| ESD保护 | 是 | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 最大反向漏电流 | 10µA | |
| 宽度 | 4mm | |
| 测试电流 | 1mA | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
二极管配置 复杂阵列 | ||
方向类型 单向 | ||
最大钳位电压 25V | ||
最小击穿电压 6V | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
峰值脉冲功率耗散 500W | ||
ESD保护 是 | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
最大反向漏电流 10µA | ||
宽度 4mm | ||
测试电流 1mA | ||
瞬态电压抑制器，用于为高速数据提供 ESD 保护
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
瞬态电压抑制器，On Semiconductor