onsemi 双向ESD保护二极管, 阵列, 贴片安装, 最小击穿13.7V, DFN8
- RS 库存编号:
- 805-1918P
- 制造商零件编号:
- NUF2114MNT1G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 805-1918P
- 制造商零件编号:
- NUF2114MNT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 二极管配置 | 阵列 | |
| 方向类型 | 双向 | |
| 最小击穿电压 | 13.7V | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | DFN8 | |
| 最大反向待机电压 | 12V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 峰值脉冲功率耗散 | 0.36W | |
| ESD保护 | 是 | |
| 每片芯片元件数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.95mm | |
| 宽度 | 2mm | |
| 电容值 | 66pF | |
| 测试电流 | 1mA | |
| 长度 | 2mm | |
| 最大反向漏电流 | 100nA | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
二极管配置 阵列 | ||
方向类型 双向 | ||
最小击穿电压 13.7V | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 DFN8 | ||
最大反向待机电压 12V | ||
引脚数目 8 | ||
峰值脉冲功率耗散 0.36W | ||
ESD保护 是 | ||
每片芯片元件数目 4 | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
尺寸 2 x 2 x 0.95mm | ||
宽度 2mm | ||
电容值 66pF | ||
测试电流 1mA | ||
长度 2mm | ||
最大反向漏电流 100nA | ||
高度 0.95mm | ||
EMI 滤波器，带 ESD 保护，ON Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
瞬态电压抑制器，On Semiconductor