Renesas Electronics 电压监控芯片, 3个监控器, 5针, SOT23
- RS 库存编号:
- 196-9042
- 制造商零件编号:
- HIP1020CKZ-T
- 制造商:
- Renesas Electronics
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¥35,871.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB11.957 | RMB35,871.00 |
| 15000 + | RMB11.718 | RMB35,154.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 196-9042
- 制造商零件编号:
- HIP1020CKZ-T
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 监控器数目 | 3 | |
| 最大复位阈值电压 | 2.4V | |
| 封装类型 | SOT23 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
监控器数目 3 | ||
最大复位阈值电压 2.4V | ||
封装类型 SOT23 | ||
引脚数目 5 | ||
Renesas Electronics HIP1020 将线性电压斜坡应用到 3.3V ， 5V 和 12V MOSFET 的任何组合的 Gates。内部电荷泵将 12V 偏置翻倍或 5V 偏置增加三倍，以在使用更经济高效的 N 沟道 MOSFET 时提供所需的高侧驱动能力。5V/ms 斜坡速率由内部控制，是在设备托架指定的 dI/dt 限值内打开大多数设备的正确值。如果需要较慢的速率，可使用可选的外部电容器覆盖内部确定的斜坡速率。
上升时间控制为设备托架规格
无需其他组件
内部电荷泵驱动 N 沟道 MOSFET
驱动一个，两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启斜坡
防止在热插入期间打开 False
使用 12V 或 5V 偏置操作
无需其他组件
内部电荷泵驱动 N 沟道 MOSFET
驱动一个，两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启斜坡
防止在热插入期间打开 False
使用 12V 或 5V 偏置操作