Microchip 2N3019 晶体管, TO, 3引脚, IC 1 A NPN, VCEO 80 V, VCBO 140 V, 通孔螺纹孔安装
- RS 库存编号:
- 838-605
- 制造商零件编号:
- 2N3019
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB108.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 838-605
- 制造商零件编号:
- 2N3019
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 1A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 80V | |
| 包装类型 | TO | |
| 安装类型 | 通孔螺纹孔 | |
| 晶体管配置 | 硅晶体管 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 140V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 7V | |
| 最大转换频率 ft | 100MHz | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 800mW | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 宽度 | 9.4mm | |
| 长度 | 9.4mm | |
| 标准/认证 | MIL-PRF-19500/391 | |
| 系列 | JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor | |
| 高度 | 6.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 1A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 80V | ||
包装类型 TO | ||
安装类型 通孔螺纹孔 | ||
晶体管配置 硅晶体管 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 140V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 7V | ||
最大转换频率 ft 100MHz | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 800mW | ||
引脚数目 3 | ||
最高工作温度 200°C | ||
宽度 9.4mm | ||
长度 9.4mm | ||
标准/认证 MIL-PRF-19500/391 | ||
系列 JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor | ||
高度 6.6mm | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- PH
Microchip 辐射硬化低功率 NPN 硅晶体管专为高可靠性应用而设计。它可在对可靠性和效率要求极高的严苛环境中提供稳健的性能。
通过多个RHA级别认证,可靠性更高
提供带引线和轻量封装选项
工作温度范围宽达-65至+200°C
低功耗,具有最大额定值,适用于各种应用