Microchip NPN晶体管, TO, 3针, IDC 1 A, VCEO 80 V, VCBO 140 V, JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor系列

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RS 库存编号:
838-605
制造商零件编号:
2N3019
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

晶体管

最大直流集电极电流 Idc

1A

最大集电极-发射极电压 Vceo

80V

包装类型

TO

安装类型

通孔螺纹孔

晶体管配置

硅晶体管

最大集电极-基极电压 VCBO

140V

最大功耗 Pd

800mW

最低工作温度

-65°C

最大转换频率 ft

100MHz

晶体管极性

NPN

最大发射极-基极电压 VEBO

7V

引脚数目

3

最高工作温度

200°C

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

标准/认证

MIL-PRF-19500/391

系列

JEDEC Registered 2N Military Low Power Transistor

不符合

COO (Country of Origin):
PH
Microchip 辐射硬化低功率 NPN 硅晶体管专为高可靠性应用而设计。它可在对可靠性和效率要求极高的严苛环境中提供稳健的性能。

通过多个RHA级别认证,可靠性更高

提供带引线和轻量封装选项

工作温度范围宽达-65至+200°C

低功耗,具有最大额定值,适用于各种应用

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