制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=24 A, 8针, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor系列

RS 库存编号:: 284-798
制造商零件编号:: ISZ330N12LM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=24 A, 8针, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor系列

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RS 库存编号:: 284-798
制造商零件编号:: ISZ330N12LM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	24A
	最大漏源电压 Vd	120V
	包装类型	PG-TSDSON-8
	系列	OptiMOS 6 Power Transistor
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	33mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	43W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS Compliant
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 24A
	最大漏源电压 Vd 120V
	包装类型 PG-TSDSON-8
	系列 OptiMOS 6 Power Transistor
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 33mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 43W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS Compliant
	汽车标准否

Datasheet - ISZ330N12LM6ATMA1

COO (Country of Origin):: DE

英飞凌 MOSFET 专为满足现代电子应用的严格要求而设计，具有最佳的效率和可靠性。先进的 OptiMOS 6 技术使该元件能够在各种工作条件下提供卓越的性能，确保其始终是工程师和开发人员的首选。其坚固耐用的设计体现了高开关速度和低导通电阻之间的平衡，是同步整流和电源管理等高频应用的理想之选。该晶体管特别适用于工业环境，其热额定值可支持大工作范围和重负荷循环。

针对高频开关进行了优化

无铅电镀符合标准

无卤素，实现环境可持续性

通过 MSL 1 认证，装配可靠

热效率高，导通电阻低

出色的栅极电荷，可加快开关速度

完全符合 JEDEC 标准

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=120 V, Id=24 A, 8针, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor系列

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