STMicroelectronics N-通道功率晶体管, 9针, IC 201 A, VCEO 100 V, G-HEMT系列
- RS 库存编号:
- 877-307
- 制造商零件编号:
- SGT3D5R10MEB
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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RMB38,268.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB12.756 | RMB38,268.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 877-307
- 制造商零件编号:
- SGT3D5R10MEB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 晶体管配置 | 增强模式 | |
| 晶体管极性 | N-通道 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 201A | |
| 最大功耗 Pd | 255W | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | G-HEMT | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
安装类型 表面安装 | ||
晶体管配置 增强模式 | ||
晶体管极性 N-通道 | ||
最大连续集电极电流 Ic 201A | ||
最大功耗 Pd 255W | ||
引脚数目 9 | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 G-HEMT | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics功率晶体管具备极低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性，可实现高功率密度与无与伦比的能效表现。
极高的开关速度
电容极低
零反向恢复电荷
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