制造商编号

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB, VCEO 100 V 功率晶体管 N-通道 201 A, 表面安装, 9引脚

RS 库存编号:: 877-307
制造商零件编号:: SGT3D5R10MEB
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB, VCEO 100 V 功率晶体管 N-通道 201 A, 表面安装, 9引脚

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RS 库存编号:: 877-307
制造商零件编号:: SGT3D5R10MEB
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	功率晶体管
	最大集电极-发射极电压 Vceo	100V
	安装类型	表面安装
	晶体管配置	增强模式
	晶体管极性	N-通道
	最大连续集电极电流 Ic	201A
	最大功耗 Pd	255W
	引脚数目	9
	最高工作温度	150°C
	系列	G-HEMT
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型功率晶体管
	最大集电极-发射极电压 Vceo 100V
	安装类型表面安装
	晶体管配置增强模式
	晶体管极性 N-通道
	最大连续集电极电流 Ic 201A
	最大功耗 Pd 255W
	引脚数目 9
	最高工作温度 150°C
	系列 G-HEMT
	汽车标准否

Datasheet - SGT3D5R10MEB

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics功率晶体管具备极低导通损耗、高电流承载能力和超快开关特性，可实现高功率密度与无与伦比的能效表现。

极高的开关速度

零反向恢复电荷

STMicroelectronics SGT3D5R10MEB, VCEO 100 V 功率晶体管 N-通道 201 A, 表面安装, 9引脚

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