制造商编号

STMicroelectronics P-通道沟道增强型晶体管, Vds=700 V, Id=17 A, 8针, PowerFLAT, G-HEMT系列

RS 库存编号:: 719-634
制造商零件编号:: SGT140R70ILB
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics P-通道沟道增强型晶体管, Vds=700 V, Id=17 A, 8针, PowerFLAT, G-HEMT系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB18.23

(不含税)

RMB20.60

另外 75 件在 2026年9月23日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB18.23
10 - 24	RMB16.08
25 - 99	RMB14.44
100 - 499	RMB13.72
500 +	RMB13.31

* 参考价格

RS 库存编号:: 719-634
制造商零件编号:: SGT140R70ILB
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	晶体管
	槽架类型	P-通道
	最大连续漏极电流 Id	17A
	最大漏源电压 Vd	700V
	包装类型	PowerFLAT
	系列	G-HEMT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	140mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	113W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3.5nC
	最大栅源电压 Vgs	-6, 7V
	最高工作温度	150°C
	长度	8.1mm
	高度	0.9mm
	宽度	8.1mm

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型晶体管
	槽架类型 P-通道
	最大连续漏极电流 Id 17A
	最大漏源电压 Vd 700V
	包装类型 PowerFLAT
	系列 G-HEMT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 140mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 113W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC
	最大栅源电压 Vgs -6, 7V
	最高工作温度 150°C
	长度 8.1mm
	高度 0.9mm
	宽度 8.1mm

Datasheet - SGT140R70ILB

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics 700 V 17 A 电子模式 PowerGaN 晶体管采用了非常成熟的包装技术。由此产生的 G-HEMT 设备导电损耗极低、电流容量高、切换操作超快，可实现高功率密度和出色的效率性能。

增强模式常关型晶体管

开关速度非常高

高功率管理能力

开尔文源极焊盘，可实现理想的栅极驱动

零反向恢复电荷

ESD 保护

STMicroelectronics P-通道沟道增强型晶体管, Vds=700 V, Id=17 A, 8针, PowerFLAT, G-HEMT系列

批量定价选项

相关链接