Infineon NPN射频三极管, TSFP, IC 35 mA, VCEO 2.25 V, VCBO 2.9 V, 85 GHz, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 170-2255
- 制造商零件编号:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 170-2255
- 制造商零件编号:
- BFP840FESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 35 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 2.25 V | |
| 封装类型 | TSFP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 75 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 2.9 V | |
| 最大工作频率 | 85 GHz | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1.4 x 0.8 x 0.55mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 35 mA | ||
最大集电极-发射极电压 2.25 V | ||
封装类型 TSFP | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 75 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 2.9 V | ||
最大工作频率 85 GHz | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1.4 x 0.8 x 0.55mm | ||
BFP840FESD 是高性能 HBT（异质结双极晶体管），专门设计用于 5-6 GHz WiFi 应用。该设备基于 Infineon 可靠的高音量 SiGe:C 技术。BFP840FESD 提供固有良好输入和输出功率匹配以及固有良好噪声匹配（5-6 GHz 时）。不使用有损外部匹配组件的同时噪声和功率匹配可使外部部件数量较少、噪声指数极佳且 WiFi 应用中的变换器增益非常高。
坚固的高性能低噪声放大器，基于 Infineon 可靠的高容量 SiGe:C 晶片技术
2 kV ESD 坚固性 (HBM)，得益于集成保护电路
较高的最大射频输入功率：21 dBm
0.6 dB 最低噪声
26 dB 最大增益
5.5 GHz、25 mA 时具有 23.5 dBm OIP3 典型值
提供准确的 SPICE GP 型号，以在流程中实现有效的设计
2 kV ESD 坚固性 (HBM)，得益于集成保护电路
较高的最大射频输入功率：21 dBm
0.6 dB 最低噪声
26 dB 最大增益
5.5 GHz、25 mA 时具有 23.5 dBm OIP3 典型值
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