onsemi 晶体管, US, 6引脚, IC 100 mA NPN, VCEO 50 V, VCBO 50 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 184-1259P
- 制造商零件编号:
- MUN5233DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 184-1259P
- 制造商零件编号:
- MUN5233DW1T1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 100mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 50V | |
| 包装类型 | US | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 50V | |
| 最大功耗 Pd | 250mW | |
| 最小直流电流增益 hFE | 80 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | MUN5233DW1T1G | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 100mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 50V | ||
包装类型 US | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 双 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 50V | ||
最大功耗 Pd 250mW | ||
最小直流电流增益 hFE 80 | ||
晶体管极性 NPN | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 6 | ||
宽度 1.35 mm | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 MUN5233DW1T1G | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此系列数字晶体管设计用于替换单个器件及其外部电阻器偏置网络。偏置电阻晶体管（ BRT ）包含单个晶体管、单片偏置网络由两个电阻器、一个串联基极电阻器和一个基极发射器电阻器组成。BRT 通过将这些组件集成到单个设备中来消除这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和板级空间。
简化电路设计
减少板空间
减少组件计数
这些设备无铅、无卤素/无 BFR