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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB17.026 | RMB510.78 |
| 60 - 90 | RMB16.516 | RMB495.48 |
| 120 + | RMB16.186 | RMB485.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7377
- 制造商零件编号:
- FDA38N30
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大功率耗散 | 312 W | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 16.2 x 5 x 18.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
最大功率耗散 312 W | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 16.2 x 5 x 18.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
UnifetTM MOSFET 是一种基于平面条带和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列。该 MOSFET 经过专门设计，可降低电阻，并提供更佳的开关性能和更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关整流器应用，例如功率因数校正 (PFC) 、平板显示器 (FPD) 电视电源、 ATX 和电子灯镇流器。
RDS(on) =70M Ω (typ.) @VGS =10V ，识别号 =19a.
低栅电荷（典型值） 60 NC ）
低 CMSS （典型 60pF ）
ESD 能力改进
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
低栅电荷（典型值） 60 NC ）
低 CMSS （典型 60pF ）
ESD 能力改进
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。