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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB4.234 | RMB3,387.20 |
| 1600 - 7200 | RMB4.149 | RMB3,319.20 |
| 8000 + | RMB4.066 | RMB3,252.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7406
- 制造商零件编号:
- MJB45H11T4G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 数字晶体管 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | -80V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 80V | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V 直流 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 60 | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 长度 | 10.29mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.88mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 数字晶体管 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo -80V | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 80V | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V 直流 | ||
最小直流电流增益 hFE 60 | ||
晶体管极性 PnP | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 2 | ||
长度 10.29mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.88mm | ||
高度 4.83mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
PNP 双极功率晶体管设计用于通用功率放大和开关，例如开关调节器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。MJB44H11 （ NPN ）和 MJB45H11 （ PNP ）是辅助设备。
低收集 - 发射器饱和电压 -
VCE (SAT) = 8.0 A 时为 1.0 V （最大）
切换速度快
互补对可简化设计
NJV 前缀，适用于需要独特站点和控制更改要求的汽车和其它应用，具有 PPAP 功能
提供 PBFree 软件包
相关链接
- onsemi PnP套件, 2针, VCEO -80 V, VCBO 80 V
- onsemi PnP套件, 2针, IC 10 A, VCEO -80 V, MJB45H系列
- onsemi PnP晶体管, TO-252, 3针, IDC -8 A, VCEO -80 V, VCBO -80 V, MJD45H系列
- onsemi PnP晶体管, IPAK, 3针, IDC -8 A, VCEO -80 V, VCBO 10 V 直流, MJD44H11系列
- onsemi PnP晶体管, TO-263, 3针, IDC -6 A, VCEO -100 V, VCBO 100 V 直流
- STMicroelectronics PnP晶体管, TO-220, 3针, IDC 20 A, VCEO 80 V, VCBO 80 V
- onsemi PnP晶体管, TO-225, 3针, IDC 1 A, VCEO 80 V, VCBO 80 V
- STMicroelectronics PnP晶体管, TO-252, 3针, IDC 8 A, VCEO 80 V, VCBO 80 V