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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1490 | RMB5.006 |
| 1500 + | RMB4.855 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8211P
- 制造商零件编号:
- FDMC86262P
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 封装类型 | MLP 3.3 x 3.3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 40 W | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 0.72mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
封装类型 MLP 3.3 x 3.3 | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 40 W | ||
引脚数目 8 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 3.3 x 3.3 x 0.72mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
此 P 通道 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench ® 技术制造。这种非常高密度的过程特别适合于最大限度地减少状态电阻和优化，以获得卓越的交换性能。
最大 RDS (on) =307M Ω ， VGS =-10V ， ID =-2A
最大 RDS (on) =356M Ω ， VGS =-6V ， ID =-1.8A
针对低 QG 优化的极低 RDS (on) 中电压 P 通道硅技术
针对快速交换应用和负载切换应用进行了优化
应用
工业
便携式和无线
最大 RDS (on) =356M Ω ， VGS =-6V ， ID =-1.8A
针对低 QG 优化的极低 RDS (on) 中电压 P 通道硅技术
针对快速交换应用和负载切换应用进行了优化
应用
工业
便携式和无线