可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB83.50
(不含税)
RMB94.25
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB3.34 | RMB83.50 |
| 750 - 1475 | RMB3.24 | RMB81.00 |
| 1500 + | RMB3.142 | RMB78.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8443
- 制造商零件编号:
- FDG6321C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 套件 | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最大功耗 Pd | 300mW | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | FDG6321C | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 套件 | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 双 | ||
最大功耗 Pd 300mW | ||
引脚数目 6 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
长度 2.2mm | ||
标准/认证 No | ||
系列 FDG6321C | ||
汽车标准 否 | ||
这些双路 N 和 P 通道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术来生产。这种非常高的密度过程特别适合于最大限度地减少状态电阻。此器件专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小型信号 MOSFET 。由于不需要偏置电阻器，此双数字 FET 可以用不同的偏置电阻值替换多个不同的数字晶体管。
N-CH
0.50 A ， 25 V
RDS (on) =0.45 Ω @VGS =4.5 伏
RDS(on) =0.60 Ω @VGS =2.7V
P － CH （ P － CH ）
-0.41 A ， -25 V
RDS (on) =1.1 Ω @VGS =-4.5 伏
RDS(on) =1.5 Ω @VGS=-2.7 V
非常小的封装大纲 SC70-6 。
极低水平门驱动要求，允许在 3V 电路中直接操作 (VGS(TH)< 1.5 V) 。
用于 ESD 坚固性的门源齐纳（> 6kV 人体模型）。
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。