Infineon NPN射频三极管, TSLP-3-9., IC 40 mA, VCEO 4 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 219-5958
- 制造商零件编号:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 15000 - 60000 | RMB3.059 | RMB45,885.00 |
| 75000 + | RMB2.998 | RMB44,970.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 219-5958
- 制造商零件编号:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 40 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 4 V | |
| 封装类型 | TSLP-3-9. | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 40 mA | ||
最大集电极-发射极电压 4 V | ||
封装类型 TSLP-3-9. | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 4 | ||
Infineon BFP740L3RH 是硅锗碳 (SiGe ： C) NPN 热结宽带双极射频晶体管 (HBT)。
低噪声数字 NFmin = 0.5 dB @ 1.9 GHz ， 0.8 dB @ 5.5 GHz ， 3 V ， 6 mA
高功率增益 GMS = 20 dB ， 5.5 GHz ， 3 V ， 15 mA
薄型和小型无引线封装
高功率增益 GMS = 20 dB ， 5.5 GHz ， 3 V ， 15 mA
薄型和小型无引线封装