Renesas Electronics NPN/PNP三极管, SOIC, IC 65 mA, VCEO 8 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 235-5229
- 制造商零件编号:
- HFA3096BZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 48 - 192 | RMB64.516 | RMB3,096.77 |
| 240 + | RMB63.226 | RMB3,034.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-5229
- 制造商零件编号:
- HFA3096BZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 晶体管类型 | NPN/PNP | |
| 最大直流集电极电流 | 65 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 8 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 每片芯片元件数目 | 5 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
晶体管类型 NPN/PNP | ||
最大直流集电极电流 65 mA | ||
最大集电极-发射极电压 8 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 16 | ||
每片芯片元件数目 5 | ||
Renesas Electronics HFA3096 是超高频晶体管阵列，采用 Renesas 互补双极 UHF-1 工艺制造。HFA3096 是 NPN/PNP 组合。可访问各个晶体管的每个接线端子，以实现最大的应用灵活性。这些晶体管阵列的单片结构提供了五个晶体管的紧密电气和热匹配
NPN 晶体管 (ft) 8GHz
NPN 电流增益 (HFE) 为 130
NPN 早期电压 (VA) 为 50V
PNP 晶体管 (ft) 为 5.5GHz
PNP 电流增益 (HFE) 为 60
PNP 早期电压 (VA) 为 20V
1.0GHz 时的噪声值 (50Ω μ s) 为 3.5dB
集电极到集电极泄漏 <1pA
晶体管之间完全隔离
NPN 电流增益 (HFE) 为 130
NPN 早期电压 (VA) 为 50V
PNP 晶体管 (ft) 为 5.5GHz
PNP 电流增益 (HFE) 为 60
PNP 早期电压 (VA) 为 20V
1.0GHz 时的噪声值 (50Ω μ s) 为 3.5dB
集电极到集电极泄漏 <1pA
晶体管之间完全隔离