Renesas Electronics NPN三极管, SOIC, IC 65 mA, VCEO 8 V, VCBO 12 V, 8000 MHz, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 923-1335
- 制造商零件编号:
- HFA3127BZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 48 - 192 | RMB76.613 | RMB3,677.42 |
| 240 + | RMB75.081 | RMB3,603.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 923-1335
- 制造商零件编号:
- HFA3127BZ
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 65 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 8 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大集电极-基极电压 | 12 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5.5 V | |
| 最大工作频率 | 8000 MHz | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 每片芯片元件数目 | 5 | |
| 尺寸 | 1.5 x 10 x 4mm | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 65 mA | ||
最大集电极-发射极电压 8 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大集电极-基极电压 12 V | ||
最大发射极-基极电压 5.5 V | ||
最大工作频率 8000 MHz | ||
引脚数目 16 | ||
每片芯片元件数目 5 | ||
尺寸 1.5 x 10 x 4mm | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
晶体管阵列，Intersil
晶体管之间完全隔离
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
双极晶体管，Intersil