Infineon NPN三极管, SOT-23, IC 35 mA, VCEO 20 V, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-7726
- 制造商零件编号:
- BFR182E6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB0.94 | RMB23.50 |
| 50 - 75 | RMB0.912 | RMB22.80 |
| 100 - 225 | RMB0.866 | RMB21.65 |
| 250 - 975 | RMB0.806 | RMB20.15 |
| 1000 + | RMB0.733 | RMB18.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7726
- 制造商零件编号:
- BFR182E6327HTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大直流集电极电流 | 35 mA | |
| 最大集电极-发射极电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大直流集电极电流 35 mA | ||
最大集电极-发射极电压 20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon NPN 硅射频晶体管用于 1 mA 至 20 mA 集电流时的低噪声、高增益宽带放大器。此晶体管用于射频前端和无线通信中的放大器和振荡器应用。
符合 RoHS 标准的无铅封装
VCEO 最大值为 12 V
VCEO 最大值为 12 V