Infineon BFP540ESDH6327XTSA1 射频双极晶体管, SOT-343, 4引脚, IC 80 mA NPN, VCEO 10 V, VCBO 10 V, 表面安装
- RS 库存编号:
- 259-1432
- 制造商零件编号:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.409 | RMB60.23 |
| 50 - 75 | RMB2.337 | RMB58.43 |
| 100 - 225 | RMB2.22 | RMB55.50 |
| 250 - 975 | RMB2.065 | RMB51.63 |
| 1000 + | RMB1.879 | RMB46.98 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1432
- 制造商零件编号:
- BFP540ESDH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 射频双极晶体管 | |
| 最大直流集电极电流 Idc | 80mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 10V | |
| 包装类型 | SOT-343 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 10V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 1V | |
| 最大转换频率 ft | 30GHz | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最小直流电流增益 hFE | 50 | |
| 最大功耗 Pd | 250mW | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 系列 | BFP540 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 射频双极晶体管 | ||
最大直流集电极电流 Idc 80mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 10V | ||
包装类型 SOT-343 | ||
安装类型 表面 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 10V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 1V | ||
最大转换频率 ft 30GHz | ||
晶体管极性 NPN | ||
最小直流电流增益 hFE 50 | ||
最大功耗 Pd 250mW | ||
最高工作温度 150°C | ||
引脚数目 4 | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2mm | ||
系列 BFP540 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon NPN 硅射频晶体管，适用于具有ESD保护功能的高增益低噪声放大器。它具有出色的 ESD 性能，典型值为 1000 V (HBM)。
出色的 Gms 21.5 dB
噪声数字 F 0.9 dB
金属化,确保高可靠性