onsemi PNP三极管, DPAK (TO-252), IC -5 A, VCEO -25 V, VCBO 40 V 直流, 10 MHz, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 790-5325P
- 制造商零件编号:
- MJD210RLG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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- MJD210RLG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大直流集电极电流 | -5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | -25 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 最大功率耗散 | 12.5 W | |
| 最小直流电流增益 | 45 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大集电极-基极电压 | 40 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 8 V | |
| 最大工作频率 | 10 MHz | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大直流集电极电流 -5 A | ||
最大集电极-发射极电压 -25 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
最大功率耗散 12.5 W | ||
最小直流电流增益 45 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大集电极-基极电压 40 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 8 V | ||
最大工作频率 10 MHz | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor
标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
双极功率晶体管设计用于低电压、低功耗、高增益音频放大器应用。MJD200 （ NPN ）和 MJD210 （ PNP ）是辅助设备。
Collector-Emitter Staining Voltage - VCEO (SUS) = 25Vdc (MIN)@IC =10 MADC
高直流电流增益 - HFE =70(min)@IC =500MADC=45(Mmin)@IC =2 ADC =10(MIN) @IC =5 ADC
低收集 - 发射器饱和电压 - VCE (SAT) =0.30 VDC （最大） @IC =500 MDC =0.75 VDC （最大） @IC =2.0 ADC
高电流增益带宽产品 - FT =65 MHz （最小） @ IC =100 MADC
低漏电环形结构 - ICBO =100 NADC@额 定 VCB
这些器件是无铅器件
MJD200 是补充 NPN 器件
高直流电流增益 - HFE =70(min)@IC =500MADC=45(Mmin)@IC =2 ADC =10(MIN) @IC =5 ADC
低收集 - 发射器饱和电压 - VCE (SAT) =0.30 VDC （最大） @IC =500 MDC =0.75 VDC （最大） @IC =2.0 ADC
高电流增益带宽产品 - FT =65 MHz （最小） @ IC =100 MADC
低漏电环形结构 - ICBO =100 NADC@额 定 VCB
这些器件是无铅器件
MJD200 是补充 NPN 器件