Renesas Electronics , BD679 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片, SOT-32封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=80 V, HFE=750
- RS 库存编号:
- 109-084
- 制造商零件编号:
- BD679
- 制造商:
- Renesas Electronics
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥2.35
(不含税)
¥2.66
(含税)
有库存
- 另外 486 件在 2026年2月02日 发货
- 另外 878 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB2.35 |
| 5 - 9 | RMB2.28 |
| 10 - 19 | RMB2.23 |
| 20 - 39 | RMB2.19 |
| 40 + | RMB2.15 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 109-084
- 制造商零件编号:
- BD679
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 4A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 80V | |
| 包装类型 | SOT-32 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 750 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 80V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.5V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 7.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | BD679 | |
| 高度 | 10.8mm | |
| 宽度 | 2.7 mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.2mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 4A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 80V | ||
包装类型 SOT-32 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 750 | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 80V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.5V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 7.8mm | ||
标准/认证 No | ||
系列 BD679 | ||
高度 10.8mm | ||
宽度 2.7 mm | ||
最大集电极-基极截止电流 0.2mA | ||
汽车标准 否 | ||
NPN 复合晶体管，STMicroelectronics
双极晶体管，STMicroelectronics（意法半导体）
STMicroelectronics（意法半导体）生产的各种 NPN 和 PNP 双极晶体管，包括通用、达林顿、功率和高压设备，采用表面安装和通孔封装。