达林顿管

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描述 价格 晶体管类型 最大连续集电极电流 最大集电极-发射极电压 最大发射极-基极电压 封装类型 安装类型 引脚数目 晶体管配置 配置 每片芯片元件数目 最小直流电流增益 最大基极-发射极饱和电压 最大集电极-基极电压 最大集电极-发射极饱和电压
RS 库存编号 866-0196
制造商零件编号ULN2803ADW
RMB11.522
毎管:40 个
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 贴片 18 共发射极 - 8 - - - 1.6 V
RS 库存编号 922-2987
制造商零件编号ULN2003ADR
品牌德州仪器
RMB1.475
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 500 mA 50 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 121-8478
制造商零件编号ULN2003AD
RMB6.623
毎管:40 个
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 858-196
制造商零件编号ULN2003AD
RMB6.77
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 1.6 V
RS 库存编号 714-1167
制造商零件编号ULN2803A
RMB19.888
/个 (每包:5个)
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V PDIP 通孔 18 共发射极 - 8 1000 - - 1.1 V
RS 库存编号 168-6833
制造商零件编号ULN2803A
RMB19.756
毎管:20 个
单位
NPN 500 mA 50 V 50 V PDIP 通孔 18 共发射极 - 8 1000 - - 1.1 V
RS 库存编号 102-4101
制造商零件编号BDX53B
RMB6.597
毎管:50 个
单位
NPN 8 A 80 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 80 V 2 V
RS 库存编号 486-0042
制造商零件编号BDX53B
RMB8.064
/个 (每包:5个)
单位
NPN 8 A 80 V 5 V TO-220 通孔 3 - 1 750 2.5 V 80 V 2 V
RS 库存编号 125-0063
制造商零件编号MJ11032G
品牌onsemi
RMB72.892
Each (In a Tray of 100)
单位
NPN 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 774-3209
制造商零件编号MJ11032G
品牌onsemi
RMB122.01
单位
NPN 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 145-3891
制造商零件编号2N6039G
品牌onsemi
RMB3.131
个 (以毎盒:500)
单位
NPN 4 A 80 V 5 V TO-225AA 通孔 3 - 1 100 4 V 80 V 3 V
RS 库存编号 774-3202
制造商零件编号MJ11033G
品牌onsemi
RMB77.53
单位
PNP 50A 120V 5V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5V 120V 3.5V
RS 库存编号 809-5475
制造商零件编号ULN2003LVDR
RMB3.96
单位
NPN 140 mA 8 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 0.49 V
RS 库存编号 122-0139
制造商零件编号MJ11033G
品牌onsemi
RMB64.706
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP 50 A 120 V 5 V TO-204 通孔 2 - 1 400 4.5 V 120 V 3.5 V
RS 库存编号 162-6795
制造商零件编号ULN2003LVDR
品牌德州仪器
RMB2.539
个 (在毎卷:2500)
单位
NPN 140 mA 8 V - SOIC 表面贴装 16 共发射极 - 7 - - - 0.49 V
RS 库存编号 686-8209
制造商零件编号ULN2003A
RMB3.849
/个 (每包:20个)
单位
NPN 500 mA 50 V - PDIP 通孔 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 103-5055
制造商零件编号MJ11015G
品牌onsemi
RMB41.491
Each (In a Tray of 100)
单位
PNP 30 A 120 V 5 V TO-204 通孔 3 - 1 200 5 V 120 V 4 V
RS 库存编号 168-6450
制造商零件编号ULN2003A
RMB3.926
毎管:25 个
单位
NPN 500 mA 50 V - PDIP 通孔 16 共发射极 - 7 1000 - - 1.6 V
RS 库存编号 688-1502
制造商零件编号MJ11015G
品牌onsemi
RMB65.13
/个 (每包:2个)
单位
PNP 30 A 120 V 5 V TO-204 通孔 3 - 1 200 5 V 120 V 4 V
RS 库存编号 145-2940
制造商零件编号NJD35N04G
品牌onsemi
RMB4.451
毎管:75 个
单位
NPN 4 A 350 V 5 V DPAK (TO-252) 表面贴装 3 - 1 300 2 V 700 V 1.5 V

达林顿管

什么是达林顿管?

达林顿管又称达林顿晶体管、复合管,就是两个三极管接在一起,极性只认前面的三极管。其中一个晶体管是高增益晶体管,另一个晶体管是高电流晶体管。它们用于放大一个电路向另一电路或微处理器传输的微弱信号。达林顿晶体管对也可作为开/关按钮使用。达林顿晶体管对作为单个晶体管工作,但具有更高的电流增益。与单个晶体管相比,它们还可提供较高的输入阻抗。

达林顿管工作原理:

达林顿管将两个三极管串联,以组成一只等效的新的三极管。这只等效三极管的放大倍数是原二者之积,因此它的特点是放大倍数非常高。

达林顿管的作用:

达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号,如大功率开关电路。在电子学电路设计中,达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。

达林顿管的应用:

达林顿管特别适用于显示驱动器、音频输出、电源调节器、光传感器、触摸传感器和电源输出。不建议在需要高频的应用中使用它们,因为无法立即关闭基电流。达林顿晶体管可包含NPN(负-正-负)晶体管、PNP(正-负-正)晶体管,或同时包含这两类晶体管。

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