onsemi , MJ11016G 达林顿晶体管, 30 A, 每片1芯片, TO-204封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=120 V, HFE=200
- RS 库存编号:
- 463-000
- Distrelec 货号:
- 304-37-286
- 制造商零件编号:
- MJ11016G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥87.22
(不含税)
¥98.56
(含税)
有库存
- 190 件将从其他地点发货
- 另外 22 件在 2026年2月16日 发货
- 另外 100 件在 2026年3月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB43.61 | RMB87.22 |
| 10 - 48 | RMB41.42 | RMB82.84 |
| 50 + | RMB39.35 | RMB78.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 463-000
- Distrelec 货号:
- 304-37-286
- 制造商零件编号:
- MJ11016G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 120V | |
| 包装类型 | TO-204 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 200 | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 120V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 高度 | 8.51mm | |
| 系列 | MJ1101 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 26.67 mm | |
| 长度 | 39.37mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 1mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 120V | ||
包装类型 TO-204 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 200 | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 120V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最高工作温度 200°C | ||
高度 8.51mm | ||
系列 MJ1101 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 26.67 mm | ||
长度 39.37mm | ||
最大集电极-基极截止电流 1mA | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor MJ11016G 是一款 30A 、 120V NPN 达林顿双极功率晶体管。它设计为用于通用放大器应用的输出设备。
MJ11016G 采用无铅至 -204AA （ TO-3 ）的通孔封装。
•高直流电流增益
•单片结构
•内置基座发射器并联电阻器
•结温：至 +200 ° C
• NPN 极性
可选型号：
463-000- 每包装 2 个
100-7565- 纸盒 100
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
Standards
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。