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小计（1 管，共 50 件）*
¥176.90
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¥199.90
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB3.538 | RMB176.90 |
| 100 - 450 | RMB3.464 | RMB173.20 |
| 500 + | RMB3.395 | RMB169.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 103-5146
- 制造商零件编号:
- TIP120G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 8 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 1000 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 4 V | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.5mA | |
| 宽度 | 10.28mm | |
| 尺寸 | 15.75 x 10.28 x 4.82mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 4.82mm | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 8 A | ||
最大集电极-发射极电压 60 V | ||
最大发射极-基极电压 5 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 1000 | ||
最大集电极-基极电压 60 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 4 V | ||
最大集电极-基极截止电流 0.5mA | ||
宽度 10.28mm | ||
尺寸 15.75 x 10.28 x 4.82mm | ||
长度 15.75mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 4.82mm | ||
最大功率耗散 65 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
NPN 复合晶体管，On Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor tip 120g 是一种中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管。它设计为用于通用放大器和低速开关应用的输出设备。
尖端 120G 采用塑料 TO-220AB 通孔封装。
•高直流电流增益
•收集器 - 发射器饱和电压低
•单片结构
•内置基座发射器并联电阻器
•紧凑封装
• NPN 极性
尖端 120G 采用塑料 TO-220AB 通孔封装。
•高直流电流增益
•收集器 - 发射器饱和电压低
•单片结构
•内置基座发射器并联电阻器
•紧凑封装
• NPN 极性