onsemi 达林顿晶体管, 800 mA, 每片1芯片, SOT-223封装, 表面安装 NPN, 4引脚, Vce=80 V, HFE=10000
- RS 库存编号:
- 166-2819
- 制造商零件编号:
- PZTA28
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥5,488.00
(不含税)
¥6,200.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 4,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | RMB1.372 | RMB5,488.00 |
| 8000 - 12000 | RMB1.317 | RMB5,268.00 |
| 16000 + | RMB1.291 | RMB5,164.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 166-2819
- 制造商零件编号:
- PZTA28
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 800mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 80V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 10000 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 80V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 12V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | PTZA28 | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 3.56 mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 500nA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 800mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 80V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 10000 | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 80V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 12V | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 PTZA28 | ||
高度 1.6mm | ||
长度 6.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 3.56 mm | ||
最大集电极-基极截止电流 500nA | ||
汽车标准 否 | ||
复合 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 双极晶体管
双极性结型晶体管 (BJT) 种类繁多，可为各种电路应用提供完整的解决方案。创新的封装设计可提供小尺寸、高可靠性和热性能。