onsemi , TIP102G 达林顿晶体管, 8 A, 每片1芯片, TO-220封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=100 V, HFE=200
- RS 库存编号:
- 178-4739
- 制造商零件编号:
- TIP102G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥295.10
(不含税)
¥333.45
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年4月27日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB5.902 | RMB295.10 |
| 250 + | RMB5.784 | RMB289.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 178-4739
- 制造商零件编号:
- TIP102G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 8A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 200 | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大功耗 Pd | 80W | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 9.28mm | |
| 宽度 | 4.82 mm | |
| 系列 | TIP100 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.28mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.05mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 8A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 200 | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大功耗 Pd 80W | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 9.28mm | ||
宽度 4.82 mm | ||
系列 TIP100 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.28mm | ||
最大集电极-基极截止电流 0.05mA | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor TIP102 是达林顿双极功率晶体管、设计用于通用放大器和低速开关应用。该达林顿双极达−220 时的封装类型。
高直流电流增益
这些设备无铅且符合 rohs 标准