onsemi , TIP117G 达林顿晶体管, 2 A, 每片1芯片, TO-220封装, 通孔安装 PnP, 3引脚, Vce=100 V, HFE=500
- RS 库存编号:
- 184-1112
- 制造商零件编号:
- TIP117G
- 制造商:
- onsemi
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- TIP117G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 2A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 500 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | TIP1 | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 2mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 2A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 500 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
晶体管极性 PnP | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 TIP1 | ||
宽度 4.83 mm | ||
长度 10.53mm | ||
高度 15.75mm | ||
最大集电极-基极截止电流 2mA | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用。TIP110 、 TIP111 、 TIP112 （ NPN ）、 TIP115 、 TIP116 、 TIP117 （ PNP ）是补充设备。
高直流电流增益 - HFE = 2500 （典型值） @ IC = ADC
集电极 - 发射器保持电压 @ 30 mA
VCEO(SUS) = 60 V 直流（最小） TIP110 、 TIP115
VCEO(SUS) = 80 Vdc （最小） TIP111 、 TIP116
VCEO(SUS) = 100 Vdc （最小） TIP112 、 TIP117
低集电极-发射极饱和电压
VCE （ SAT ） = 2.5 V 直流（最大） @ IC = ADC
= 4.0 Vdc （最大） @ IC = ADC
单片结构、带内置基发射极分流电阻器
紧凑型 TO-220 AB 封装
提供无铅封装