onsemi PNP达林顿晶体管, 2(连续)A,4(峰值)A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 184-1112
- 制造商零件编号:
- TIP117G
- 制造商:
- onsemi
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- TIP117G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大连续集电极电流 | 2(连续)A,4(峰值)A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 500 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.5 V 直流 | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 2mA | |
| 基电流 | 50mA | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 PNP | ||
最大连续集电极电流 2(连续)A,4(峰值)A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 500 | ||
最大集电极-基极电压 100 V 直流 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V 直流 | ||
最大集电极-基极截止电流 2mA | ||
基电流 50mA | ||
长度 10.53mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
最大功率耗散 50 W | ||
宽度 4.83mm | ||
高度 15.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
复合晶体管双极功率晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用。TIP110 、 TIP111 、 TIP112 ( NPN )、 TIP115 、 TIP116 、 TIP117 ( PNP )是补充设备。
高直流电流增益 - HFE = 2500 (典型值) @ IC = ADC
集电极 - 发射器保持电压 @ 30 mA
VCEO(SUS) = 60 V 直流(最小) TIP110 、 TIP115
VCEO(SUS) = 80 Vdc (最小) TIP111 、 TIP116
VCEO(SUS) = 100 Vdc (最小) TIP112 、 TIP117
低集电极-发射极饱和电压
VCE ( SAT ) = 2.5 V 直流(最大) @ IC = ADC
= 4.0 Vdc (最大) @ IC = ADC
单片结构、带内置基发射极分流电阻器
紧凑型 TO-220 AB 封装
提供无铅封装
集电极 - 发射器保持电压 @ 30 mA
VCEO(SUS) = 60 V 直流(最小) TIP110 、 TIP115
VCEO(SUS) = 80 Vdc (最小) TIP111 、 TIP116
VCEO(SUS) = 100 Vdc (最小) TIP112 、 TIP117
低集电极-发射极饱和电压
VCE ( SAT ) = 2.5 V 直流(最大) @ IC = ADC
= 4.0 Vdc (最大) @ IC = ADC
单片结构、带内置基发射极分流电阻器
紧凑型 TO-220 AB 封装
提供无铅封装
