onsemi NPN达林顿晶体管, 10（连续）A，15（峰值）A, TO-218封装, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 184-1113
- 制造商零件编号:
- TIP33CG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥366.54
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- 最终 60 个，准备发货
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB12.218 | RMB366.54 |
| 150 - 270 | RMB11.974 | RMB359.22 |
| 300 + | RMB11.734 | RMB352.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-1113
- 制造商零件编号:
- TIP33CG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 10（连续）A，15（峰值）A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 封装类型 | TO-218 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 配置 | 单 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 20 | |
| 最大集电极-基极电压 | 100 V 直流 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 4 V 直流 | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.7mA | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 尺寸 | 15.2 x 4.9 x 20.35mm | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 长度 | 15.2mm | |
| 高度 | 20.35mm | |
| 基电流 | 3A | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 10（连续）A，15（峰值）A | ||
最大集电极-发射极电压 100 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
封装类型 TO-218 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
配置 单 | ||
晶体管配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 20 | ||
最大集电极-基极电压 100 V 直流 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 4 V 直流 | ||
最大集电极-基极截止电流 0.7mA | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.9mm | ||
最大功率耗散 80 W | ||
尺寸 15.2 x 4.9 x 20.35mm | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
长度 15.2mm | ||
高度 20.35mm | ||
基电流 3A | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
双极功率晶体管设计用于通用功率放大器和开关应用
10 A 收集器电流
低漏电流 - ICEO = 0.7 mA @ 60 V
极佳的直流增益 - HFE = 40 典型值 @ 3.0 A
高电流增益带宽产品 - HFE = 3.0 min @ IC = 0.5 A 、 f = 1.0 MHz
提供无铅封装
低漏电流 - ICEO = 0.7 mA @ 60 V
极佳的直流增益 - HFE = 40 典型值 @ 3.0 A
高电流增益带宽产品 - HFE = 3.0 min @ IC = 0.5 A 、 f = 1.0 MHz
提供无铅封装