onsemi 达林顿晶体管, 2 A, 每片1芯片, TO-220封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=60 V dc, HFE=500
- RS 库存编号:
- 186-7439
- 制造商零件编号:
- TIP110G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB3.076 | RMB153.80 |
| 100 - 150 | RMB3.015 | RMB150.75 |
| 200 - 350 | RMB2.954 | RMB147.70 |
| 400 - 750 | RMB2.895 | RMB144.75 |
| 800 + | RMB2.837 | RMB141.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7439
- 制造商零件编号:
- TIP110G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 2A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 60V 直流 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 500 | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 60V 直流 | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.5V 直流 | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V 直流 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | TIP110 | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 1mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 2A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 60V 直流 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 500 | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 60V 直流 | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.5V 直流 | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V 直流 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 15.75mm | ||
长度 10.53mm | ||
标准/认证 No | ||
系列 TIP110 | ||
最大集电极-基极截止电流 1mA | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
达林顿双极功率晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用。烙嘴 110 、烙嘴 111 、烙嘴 112 （ NPN ）、烙嘴 115 、烙嘴 116 、烙嘴 117 （ PNP ）是辅助设备。
高直流电流增益 - HFE =2500 （典型） @ IC =1.0 ADC
收集器 - 发射器持续电压 @30 mA
VCEO (SUS) = 60V 直流（最小）烙铁头 110 ，烙铁头 115
VCEO (SUS) = 80VDC （最小）烙嘴 111 ，烙嘴 116
VCEO (SUS) = 100Vdc （最小）提示 112 ，提示 117
低集电极-发射极饱和电压
VCE (SAT) = 2.5 VDC （最大） @ IC = 2.0 ADC = 4.0 VDC （最大） @ IC = 5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
紧凑型 TO-220AB 封装