可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥148.55
(不含税)
¥167.85
(含税)
有库存
- 另外 300 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB2.971 | RMB148.55 |
| 100 - 150 | RMB2.912 | RMB145.60 |
| 200 - 350 | RMB2.853 | RMB142.65 |
| 400 - 750 | RMB2.796 | RMB139.80 |
| 800 + | RMB2.74 | RMB137.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-7439
- 制造商零件编号:
- TIP110G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大连续集电极电流 | 5 A 直流 | |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V 直流 | |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V 直流 | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 配置 | 单 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 | 500 | |
| 最大集电极-基极电压 | 60 V 直流 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.5 V 直流 | |
| 最大功率耗散 | 50 W | |
| 尺寸 | 10.53 x 4.83 x 15.75mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管类型 NPN | ||
最大连续集电极电流 5 A 直流 | ||
最大集电极-发射极电压 60 V 直流 | ||
最大发射极-基极电压 5 V 直流 | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
配置 单 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 500 | ||
最大集电极-基极电压 60 V 直流 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 2.5 V 直流 | ||
最大功率耗散 50 W | ||
尺寸 10.53 x 4.83 x 15.75mm | ||
高度 15.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
宽度 4.83mm | ||
长度 10.53mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
达林顿双极功率晶体管设计用于通用放大器和低速开关应用。烙嘴 110 、烙嘴 111 、烙嘴 112 （ NPN ）、烙嘴 115 、烙嘴 116 、烙嘴 117 （ PNP ）是辅助设备。
高直流电流增益 - HFE =2500 （典型） @ IC =1.0 ADC
收集器 - 发射器持续电压 @30 mA
VCEO (SUS) = 60V 直流（最小）烙铁头 110 ，烙铁头 115
VCEO (SUS) = 80VDC （最小）烙嘴 111 ，烙嘴 116
VCEO (SUS) = 100Vdc （最小）提示 112 ，提示 117
低集电极-发射极饱和电压
VCE (SAT) = 2.5 VDC （最大） @ IC = 2.0 ADC = 4.0 VDC （最大） @ IC = 5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
紧凑型 TO-220AB 封装
收集器 - 发射器持续电压 @30 mA
VCEO (SUS) = 60V 直流（最小）烙铁头 110 ，烙铁头 115
VCEO (SUS) = 80VDC （最小）烙嘴 111 ，烙嘴 116
VCEO (SUS) = 100Vdc （最小）提示 112 ，提示 117
低集电极-发射极饱和电压
VCE (SAT) = 2.5 VDC （最大） @ IC = 2.0 ADC = 4.0 VDC （最大） @ IC = 5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
紧凑型 TO-220AB 封装