onsemi 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片, TO-220封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=60 V, HFE=1000
- RS 库存编号:
- 186-7907P
- 制造商零件编号:
- 2N6387G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- 186-7907P
- 制造商零件编号:
- 2N6387G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 4A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 60V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 1000 | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 60V | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 系列 | 2N6388 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.53mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 1mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 4A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 60V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 1000 | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 60V | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 15.75mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
系列 2N6388 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.53mm | ||
最大集电极-基极截止电流 1mA | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Power8A 80V NPN 复合双极功率晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计。
高直流电流增益 - HFE =2500 （典型） @ IC =4.0 ADC
Collector-Emitter Staining Voltage -@100 MDC ， VCEO (SUS) =60 VDC (min) -2 N6387 ， VCEO (SUS) =80 VDC (min) -2 N6388
Collector-Emitter Staining Voltage -@100 MDC ， VCEO (SUS) =60 VDC (min) -2 N6387 ， VCEO (SUS) =80 VDC (min) -2 N6388
低收集 - 发射器饱和电压 - VCE (SAT) = 2.0 VDC （最大） @IC = 5.0 ADC
具有内置基发射极并联电阻器的单片结构
T0-220AB 紧凑型封装