onsemi 达林顿晶体管, 4 A, 每片1芯片, TO-220封装, 通孔安装 NPN, 3引脚, Vce=60 V 直流, HFE=1000

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包装方式：
RS 库存编号:
186-7907P
制造商零件编号:
2N6387G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

达林顿晶体管

最大连续集电极电流 Ic

4A

最大集电极-发射极电压 Vceo

60V 直流

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

最小直流电流增益 hFE

1000

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最大集电极-基极电压 VCBO

60V 直流

最大发射极-基极电压 VEBO

5V 直流

最大功耗 Pd

65W

晶体管极性

NPN

最低工作温度

-65°C

最高工作温度

150°C

系列

2N6388

标准/认证

No

长度

10.53mm

高度

15.75mm

最大集电极-基极截止电流

1mA

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Power8A 80V NPN 复合双极功率晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计。

高直流电流增益 - HFE =2500 （典型） @ IC =4.0 ADC

Collector-Emitter Staining Voltage -@100 MDC ， VCEO (SUS) =60 VDC (min) -2 N6387 ， VCEO (SUS) =80 VDC (min) -2 N6388

Collector-Emitter Staining Voltage -@100 MDC ， VCEO (SUS) =60 VDC (min) -2 N6387 ， VCEO (SUS) =80 VDC (min) -2 N6388

低收集 - 发射器饱和电压 - VCE (SAT) = 2.0 VDC （最大） @IC = 5.0 ADC

具有内置基发射极并联电阻器的单片结构

T0-220AB 紧凑型封装

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