onsemi 达林顿晶体管, 500 mA, 每片1芯片, SOIC封装, 表面安装 NPN, 16引脚, Vce=50 V, HFE=1000
- RS 库存编号:
- 186-8994P
- 制造商零件编号:
- ULN2003ADR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-8994P
- 制造商零件编号:
- ULN2003ADR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 500mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 50V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 1000 | |
| 最低工作温度 | -20°C | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | ULN2003 | |
| 长度 | 10mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 50μA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 500mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 50V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 1000 | ||
最低工作温度 -20°C | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最高工作温度 85°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 ULN2003 | ||
长度 10mm | ||
宽度 4 mm | ||
高度 1.5mm | ||
最大集电极-基极截止电流 50μA | ||
汽车标准 否 | ||
这些阵列中的七个 NPN 复合晶体管非常适合在各种工业和消费类应用中驱动灯、继电器或打印机锤。它们的高击穿电压和内部抑制二极管确保不会出现与电感负载相关的问题。Peak 浪涌电流至 500mA 允许他们驱动白炽灯。带有 2.7 k Ω 系列输入电阻的 ULX2003A 非常适合使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
Peak 浪涌电流至 500 mA
高击穿电压
内部抑制二极管
最终产品
工业器件
打印机
应用
驱动继电器或白炽灯
驱动打印机锤