STMicroelectronics , ULN2003TTR 达林顿晶体管阵列, 500 mA, 每片5芯片, QFN封装, 表面安装 NPN, 48引脚, Vce=1.6 V, HFE=1000
- RS 库存编号:
- 216-7884
- 制造商零件编号:
- ULN2003TTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 + | RMB2.678 | RMB66.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 216-7884
- 制造商零件编号:
- ULN2003TTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 500mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1.6V | |
| 包装类型 | QFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 48 | |
| 每片芯片元件数目 | 5 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 1000 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 1.6V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.1V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | ULN2003 | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 宽度 | 6.6 mm | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 达林顿晶体管阵列 | ||
最大连续集电极电流 Ic 500mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1.6V | ||
包装类型 QFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 48 | ||
每片芯片元件数目 5 | ||
最小直流电流增益 hFE 1000 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 1.6V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.1V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最高工作温度 85°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 ULN2003 | ||
长度 5.1mm | ||
宽度 6.6 mm | ||
高度 1.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics ULN2003TTR 、也是一款高电压、高电流达林顿晶体管阵列、包含七个集电极开路达林顿晶体管对、以及多个发射器。
每个封装七个达林顿晶体管
每个驱动器的输出电流为 500 毫安
输出电压 50 v
集成抑制二极管、用于电感性负载