STMicroelectronics 达林顿晶体管, 8 A, 每片1芯片, TO-252封装, 表面安装 NPN, 3引脚, Vce=100 V, HFE=100
- RS 库存编号:
- 686-8130P
- 制造商零件编号:
- MJD122T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计 20 件 (按连续条带形式提供)*
¥101.50
(不含税)
¥114.70
(含税)
有库存
- 5,200 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 + | RMB5.075 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 686-8130P
- 制造商零件编号:
- MJD122T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 8A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 100 | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最大功耗 Pd | 20W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 系列 | MJD122 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.01mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 8A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 100 | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
晶体管极性 NPN | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最大功耗 Pd 20W | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.6mm | ||
系列 MJD122 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.4mm | ||
宽度 6.2 mm | ||
最大集电极-基极截止电流 0.01mA | ||
汽车标准 否 | ||
NPN 复合晶体管,STMicroelectronics
双极晶体管,STMicroelectronics(意法半导体)
STMicroelectronics(意法半导体)生产的各种 NPN 和 PNP 双极晶体管,包括通用、达林顿、功率和高压设备,采用表面安装和通孔封装。
