STMicroelectronics 达林顿晶体管, 8 A, 每片1芯片, TO-252封装, 表面安装 NPN, 3引脚, Vce=100 V, HFE=100

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每单位
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包装方式:
RS 库存编号:
686-8130P
制造商零件编号:
MJD122T4
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

达林顿晶体管

最大连续集电极电流 Ic

8A

最大集电极-发射极电压 Vceo

100V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

最小直流电流增益 hFE

100

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最大集电极-基极电压 VCBO

100V

最大功耗 Pd

20W

最低工作温度

-65°C

最大发射极-基极电压 VEBO

5V

晶体管极性

NPN

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

系列

MJD122

高度

2.4mm

长度

6.6mm

最大集电极-基极截止电流

0.01mA

汽车标准

NPN 复合晶体管,STMicroelectronics


双极晶体管,STMicroelectronics(意法半导体)


STMicroelectronics(意法半导体)生产的各种 NPN 和 PNP 双极晶体管,包括通用、达林顿、功率和高压设备,采用表面安装和通孔封装。