STMicroelectronics , MJD127T4 达林顿晶体管, 8 A, 每片1芯片, TO-252封装, 表面安装 PnP, 3引脚, Vce=100 V, HFE=100
- RS 库存编号:
- 686-8142
- 制造商零件编号:
- MJD127T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 20 件）*
¥62.94
(不含税)
¥71.12
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | RMB3.147 | RMB62.94 |
| 100 - 180 | RMB3.053 | RMB61.06 |
| 200 - 380 | RMB2.961 | RMB59.22 |
| 400 - 980 | RMB2.871 | RMB57.42 |
| 1000 + | RMB2.785 | RMB55.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 686-8142
- 制造商零件编号:
- MJD127T4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 8A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最小直流电流增益 hFE | 100 | |
| 最大发射极-基极电压 VEBO | 5V | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 晶体管极性 | PnP | |
| 最大功耗 Pd | 20W | |
| 最大集电极-基极电压 VCBO | 100V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | MJD127 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.01mA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 8A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最小直流电流增益 hFE 100 | ||
最大发射极-基极电压 VEBO 5V | ||
最低工作温度 -65°C | ||
晶体管极性 PnP | ||
最大功耗 Pd 20W | ||
最大集电极-基极电压 VCBO 100V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 MJD127 | ||
长度 6.6mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.4mm | ||
最大集电极-基极截止电流 0.01mA | ||
汽车标准 否 | ||
PNP 复合晶体管，STMicroelectronics
双极晶体管，STMicroelectronics（意法半导体）
STMicroelectronics（意法半导体）生产的各种 NPN 和 PNP 双极晶体管，包括通用、达林顿、功率和高压设备，采用表面安装和通孔封装。