onsemi 达林顿晶体管, 2 A, 每片1芯片, TO-252封装, 表面安装 NPN, 3引脚, Vce=100 V, HFE=1000

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790-5319
制造商零件编号:
MJD112G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

达林顿晶体管

最大连续集电极电流 Ic

2A

最大集电极-发射极电压 Vceo

100V

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

最小直流电流增益 hFE

1000

最大发射极-基极电压 VEBO

5V

晶体管极性

NPN

最大集电极-基极电压 VCBO

100V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最低工作温度

-65°C

最大功耗 Pd

20W

最高工作温度

150°C

系列

MJD112

宽度

6.22 mm

标准/认证

No

长度

6.73mm

高度

2.38mm

最大集电极-基极截止电流

20μA

汽车标准

AEC-Q101

NPN 复合晶体管,On Semiconductor


Standards

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。