Texas Instruments 达林顿晶体管, 100 mA, 每片7芯片, SOIC封装, 表面安装 NPN, 16引脚, Vce=8 V
- RS 库存编号:
- 809-5475P
- 制造商零件编号:
- ULN2003LVDR
- 制造商:
- Texas Instruments
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- 809-5475P
- 制造商零件编号:
- ULN2003LVDR
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 产品类型 | 达林顿晶体管 | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 100mA | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 8V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 每片芯片元件数目 | 7 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 0.42V | |
| 最大功耗 Pd | 580mW | |
| 晶体管极性 | NPN | |
| 最高工作温度 | 85°C | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | EN 61340-5-1 | |
| 系列 | ULN2003LV | |
| 长度 | 10mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
产品类型 达林顿晶体管 | ||
最大连续集电极电流 Ic 100mA | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 8V | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
每片芯片元件数目 7 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 0.42V | ||
最大功耗 Pd 580mW | ||
晶体管极性 NPN | ||
最高工作温度 85°C | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 EN 61340-5-1 | ||
系列 ULN2003LV | ||
长度 10mm | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
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