Winbond NAND闪存芯片, 1Gbit, 串行接口, WSON, 8针, 2.7 V→3.6 V, 128M x 8, W25N系列
- RS 库存编号:
- 171-2184
- 制造商零件编号:
- W25N01GVZEIG/TUBE
- 制造商:
- Winbond
可享批量折扣
小计（1 管，共 63 件）*
¥2,430.855
(不含税)
¥2,746.863
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 63 - 252 | RMB38.585 | RMB2,430.86 |
| 315 + | RMB34.726 | RMB2,187.74 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 171-2184
- 制造商零件编号:
- W25N01GVZEIG/TUBE
- 制造商:
- Winbond
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | |
| 内存大小 | 1Gbit | |
| 接口类型 | 串行 | |
| 封装类型 | WSON | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 组织 | 128M x 8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 单元类型 | NAND | |
| 最小工作电源电压 | 2.7 V | |
| 最大工作电源电压 | 3.6 V | |
| 块组织 | 对称 | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 8.1mm | |
| 尺寸 | 8.1 x 6.1 x 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 最长随机存取时间 | 7ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 字组数目 | 128M | |
| 系列 | W25N | |
| 每字组的位元数目 | 8Bit | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Winbond | ||
内存大小 1Gbit | ||
接口类型 串行 | ||
封装类型 WSON | ||
引脚数目 8 | ||
组织 128M x 8 | ||
安装类型 贴片 | ||
单元类型 NAND | ||
最小工作电源电压 2.7 V | ||
最大工作电源电压 3.6 V | ||
块组织 对称 | ||
长度 6.1mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 8.1mm | ||
尺寸 8.1 x 6.1 x 0.75mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
最长随机存取时间 7ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
字组数目 128M | ||
系列 W25N | ||
每字组的位元数目 8Bit | ||
1 GB 串行 NAND 闪存，具有统一的 2 KB + 64 B 页大小，并将缓冲器读取模式设置为默认
Vcc：2.7 V 至 3.6 V
总线宽度：x1/x2/x4
工作温度：工业：-40 °C 至 85 °C
单层单元 (SLC) 技术
密度：1 GB/128M 字节
页大小：2112 字节（2048 + 64 字节）
块大小：64 页（128K + 4K 字节）
ECC 启用时的页读取：50 us
SPI 时钟频率：104 MHz
页编程时间：250 us（典型值）
块擦除时间：2 ms（典型值）
支持 OTP 存储区域
总线宽度：x1/x2/x4
工作温度：工业：-40 °C 至 85 °C
单层单元 (SLC) 技术
密度：1 GB/128M 字节
页大小：2112 字节（2048 + 64 字节）
块大小：64 页（128K + 4K 字节）
ECC 启用时的页读取：50 us
SPI 时钟频率：104 MHz
页编程时间：250 us（典型值）
块擦除时间：2 ms（典型值）
支持 OTP 存储区域