制造商编号

Infineon NOR闪存芯片, 128Mbit, 四路 SPI接口, WSON, 8针, 2.7 V→3.6 V, 16M x 8 位, S25FL系列

RS 库存编号:: 181-1563
制造商零件编号:: S25FL128LAGNFI010
制造商:: Infineon

Infineon NOR闪存芯片, 128Mbit, 四路 SPI接口, WSON, 8针, 2.7 V→3.6 V, 16M x 8 位, S25FL系列

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RS 库存编号:: 181-1563
制造商零件编号:: S25FL128LAGNFI010
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	128Mbit
	接口类型	四路 SPI
	封装类型	WSON
	引脚数目	8
	组织	16M x 8 位
	安装类型	贴片
	单元类型	NOR
	最小工作电源电压	2.7 V
	最大工作电源电压	3.6 V
	块组织	对称
	长度	5.28mm
	高度	1.9mm
	宽度	5.28mm
	尺寸	5.28 x 5.28 x 1.9mm
	汽车标准	AEC-Q100
	最长随机存取时间	8ns
	每字组的位元数目	8Bit
	字组数目	16M
	最高工作温度	+85 °C
	系列	S25FL
	最低工作温度	-40°C

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 128Mbit
	接口类型四路 SPI
	封装类型 WSON
	引脚数目 8
	组织 16M x 8 位
	安装类型贴片
	单元类型 NOR
	最小工作电源电压 2.7 V
	最大工作电源电压 3.6 V
	块组织对称
	长度 5.28mm
	高度 1.9mm
	宽度 5.28mm
	尺寸 5.28 x 5.28 x 1.9mm
	汽车标准 AEC-Q100
	最长随机存取时间 8ns
	每字组的位元数目 8Bit
	字组数目 16M
	最高工作温度 +85 °C
	系列 S25FL
	最低工作温度 -40°C

2 兆位铁电随机存取存储器（ F-RAM ）逻辑
组织为 256 K x 8
高耐用性 10 万亿（ 1014 ）读 / 写
121 年数据保留
NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 33 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
33 MHz 时为 3 mA 有效电流
400 A 待机电流
12 A 睡眠模式电流
低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V
扩展温度： -40 °C 至 +105 °C
8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装

Infineon NOR闪存芯片, 128Mbit, 四路 SPI接口, WSON, 8针, 2.7 V→3.6 V, 16M x 8 位, S25FL系列

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。