Infineon NOR 闪存, 128 MB, 四路 SPI接口, WSON, 8引脚, 3.6 V S25FL128LAGNFI010, 2.7 V, 16M x 8 Bit, S25FL128L系列

RS 库存编号:: 181-1593
制造商零件编号:: S25FL128LAGNFI010
制造商:: Infineon

Infineon NOR 闪存, 128 MB, 四路 SPI接口, WSON, 8引脚, 3.6 V S25FL128LAGNFI010, 2.7 V, 16M x 8 Bit, S25FL128L系列

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RS 库存编号:: 181-1593
制造商零件编号:: S25FL128LAGNFI010
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	存储器大小	128MB
	产品类型	闪存
	接口类型	四路 SPI
	包装类型	WSON
	引脚数目	8
	组织	16M x 8 Bit
	安装类型	表面
	最高时钟频率	133MHz
	单元类型	NOR
	最低电源电压	2.7V
	最大电源电压	3.6V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	85°C
	高度	1.9mm
	长度	5.28mm
	标准/认证	No
	宽度	8 mm
	系列	S25FL128L
	最长随机存取时间	8ns
	字组数目	16M
	汽车标准	AEC-Q100
	每字组的位元数目	8

	选择全部
	品牌 Infineon
	存储器大小 128MB
	产品类型闪存
	接口类型四路 SPI
	包装类型 WSON
	引脚数目 8
	组织 16M x 8 Bit
	安装类型表面
	最高时钟频率 133MHz
	单元类型 NOR
	最低电源电压 2.7V
	最大电源电压 3.6V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 85°C
	高度 1.9mm
	长度 5.28mm
	标准/认证 No
	宽度 8 mm
	系列 S25FL128L
	最长随机存取时间 8ns
	字组数目 16M
	汽车标准 AEC-Q100
	每字组的位元数目 8

Datasheet

2 兆位铁电随机存取存储器（ F-RAM ）逻辑

组织为 256 K x 8

高耐用性 10 万亿（ 1014 ）读 / 写

121 年数据保留

NoDelay ™写入

Advanced High-Reliability 铁电

超快串行外围接口 (SPI)

频率高达 33 MHz

串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换

支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）

复杂的写保护方案

使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护

使用写禁用指令进行软件保护

软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列

设备 ID

制造商 ID 和产品 ID

33 MHz 时为 3 mA 有效电流

400 A 待机电流

12 A 睡眠模式电流

低压操作： VDD = 2.0 V 至 3.6 V

扩展温度： -40 °C 至 +105 °C

8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装