Microchip 4Mbit 闪存芯片, SPI接口, SOIC-8
- RS 库存编号:
- 264-8831P
- 制造商零件编号:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.162 |
| 100 - 245 | RMB7.948 |
| 250 - 995 | RMB7.79 |
| 1000 + | RMB7.634 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-8831P
- 制造商零件编号:
- SST25VF040B-50-4I-SAF-T
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 内存大小 | 4Mbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
内存大小 4Mbit | ||
接口类型 SPI | ||
封装类型 SOIC | ||
引脚数目 8 | ||
Microchip 串行闪存具有四线、SPI 兼容接口,可实现低引脚数量封装,占用较少的板空间,最终降低总体系统成本。SST25VF040B 器件采用改进的工作频率,可降低功耗。此 SPI 串行闪存采用 SST 专利、高性能 CMOS 超闪存技术制造。与替代方法相比,分门电池设计和厚氧隧道注射器实现了更好的可靠性和制造性。此设备显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。
SPI 兼容:模式 0 和模式 3
支持 50 MHz SPI 时钟
有源读取电流:10 mA(典型值)
编程和擦除电流:30mA(最大)
待机电流:5 μA(典型值)
芯片擦除时间:35 ms(典型)
部门/块擦除时间:18 ms(典型)
字节-编程时间:7 μs(典型)
符合 RoHS 标准
支持 50 MHz SPI 时钟
有源读取电流:10 mA(典型值)
编程和擦除电流:30mA(最大)
待机电流:5 μA(典型值)
芯片擦除时间:35 ms(典型)
部门/块擦除时间:18 ms(典型)
字节-编程时间:7 μs(典型)
符合 RoHS 标准