Infineon 1Mbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取18ns, SOIC封装, 128K x 8 位

RS 库存编号:: 124-2988
制造商零件编号:: FM25V10-G
制造商:: Infineon

Infineon 1Mbit FRAM, 8p, SPI接口, 最长随机存取18ns, SOIC封装, 128K x 8 位

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FM25V10-G Datasheet

英飞凌 Fram 存储器，1M 位内存大小，128K x 8 位组织结构 - FM25V10-G

这种 FRAM 存储器专为高速数据存储解决方案而设计，内存容量为 1 Mbit，组织形式为 128K x 8 位。它采用表面贴装技术，便于集成到各种电子系统中。其尺寸为 4.97mm x 3.98mm x 1.47mm，结构紧凑，为空间敏感型应用提供了多功能性。

特点和优势

• 无延迟的快速写入操作提高了效率
• 支持高达 40MHz 的 SPI 接口，可进行高速存储器访问
• 符合 AEC-Q100 标准，确保提供可靠的汽车内存解决方案
• 先进的写保护功能可防止意外修改数据

应用

• 集成到汽车控制系统中，用于数据记录
• 用于工业自动化领域的快速数据采集
• 适用于需要非易失性存储的医疗设备
• 应用于消费电子产品，提高性能
• 用于物联网设备，实现可靠的内存保存

这种内存为工业应用提供了哪些优势？

以总线速度执行快速写入操作的能力可确保在工业环境中快速捕获数据，降低在时间敏感的情况下丢失数据的风险。其强大的 100 万亿次写入耐久性进一步支持频繁的数据记录。

它的功耗与传统内存解决方案相比如何？

它的运行效率很高，激活时的功耗仅为 300μA，睡眠模式下的功耗低至 5μA。这种低功耗要求使其非常适合电池供电设备或对能效要求较高的应用。

内置保护功能有什么好处？

复杂的写保护机制包括硬件和软件控制，可防止意外写入，确保关键数据安全，避免意外更改，这对关键任务系统至关重要。

该产品的行业包装为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

属性	数值
存储器大小	1Mbit
组织	128K x 8 位
接口类型	SPI
数据总线宽度	8Bit
最长随机存取时间	18ns
安装类型	贴片
封装类型	SOIC
引脚数目	8
尺寸	4.97 x 3.98 x 1.47mm
长度	4.97mm
最大工作电源电压	3.6 V
宽度	3.98mm
高度	1.47mm
最高工作温度	+85 °C
字组数目	128K
最低工作温度	-40 °C
汽车标准	AEC-Q100
每字组的位元数目	8Bit
最小工作电源电压	2 V