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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	内存大小	4Kbit
	组织	512M x 8 位
	接口类型	串行 - SPI
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	20ns
	安装类型	贴片
	封装类型	SOIC
	引脚数目	8
	尺寸	4.97 x 3.98 x 1.47mm
	长度	4.97mm
	最大工作电源电压	3.6 V
	宽度	3.98mm
	高度	1.47mm
	最高工作温度	+85 °C
	汽车标准	AEC-Q100
	每字组的位元数目	8Bit
	最低工作温度	-40°C
	最小工作电源电压	2.7 V
	字组数目	512M

	选择全部
	品牌 Infineon
	内存大小 4Kbit
	组织 512M x 8 位
	接口类型串行 - SPI
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 20ns
	安装类型贴片
	封装类型 SOIC
	引脚数目 8
	尺寸 4.97 x 3.98 x 1.47mm
	长度 4.97mm
	最大工作电源电压 3.6 V
	宽度 3.98mm
	高度 1.47mm
	最高工作温度 +85 °C
	汽车标准 AEC-Q100
	每字组的位元数目 8Bit
	最低工作温度 -40°C
	最小工作电源电压 2.7 V
	字组数目 512M

Datasheet FM25L04B-GTR

4-Kbit 铁电随机存取存储器（ F-RAM ）逻辑组织为 512 x 8
高耐用性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写
151 年数据保留 NoDelay ™写入
Advanced High-Reliability 铁电
超快串行外围接口 (SPI)
频率高达 20 MHz
串行闪存和 EEPROM 的直接硬件更换
支持 SPI 模式 0 （ 0 、 0 ）和模式 3 （ 1 、 1 ）
复杂的写保护方案
使用写保护（ WP ）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
软件块保护，适用于 1/4 、 1/2 或整个阵列
低功耗
A MHz 时为 200 μ A 活动电流
3 A （典型值）待机电流
低压操作： VDD = 2.7 V 至 3.6 V
C 温度： -40 ̊ C 至 +85 ̊ F
软件包
8 引脚小型集成电路（ SOIC ）封装
8 引脚薄型双扁平无引线（ DFN ）封装

单位	每单位
625 - 1245	RMB10.018
1250 +	RMB9.82

Infineon 4Kbit FRAM, 8p, 串行 - SPI接口, 最长随机存取20ns, SOIC封装, 512M x 8 位

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。