Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 串行 I2C(2 线)接口, 最长随机存取3000 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

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RS 库存编号:
188-5395
制造商零件编号:
FM24C04B-G
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

FRAM

存储器大小

4kB

组织

512 x 8 位

接口类型

串行 I2C(2 线)

数据总线宽度

8Bit

最长随机存取时间

3000ns

安装类型

表面

包装类型

SOIC

引脚数目

8

宽度

3.98mm

高度

1.48mm

长度

4.97mm

最高工作温度

85°C

每字组的位元数目

8

汽车标准

AEC-Q100

最低工作温度

-40°C

字组数目

512

COO (Country of Origin):
US

FRAM,Cypress Semiconductor


铁电随机存取存储器 (F-RAM) 能效高,且在串行与并行接口的非易失性 RAM 中具有最高的可靠性。带 A 后缀的器件专为汽车应用设计,符合 AEC-Q100 认证标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快速写入速度

高耐久性

低功耗

FRAM(铁电 RAM)


铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器,它利用铁电薄膜作为电容器来存储数据。F-RAM 兼具 ROM 与 RAM 特性,具备高速存取、写入模式下的高耐久性、低功耗、非易失性以及卓越的抗篡改能力。因此,它是需要高安全性和低功耗的智能卡,以及手机和其他设备的理想存储器。