制造商编号

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 最长随机存取10 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

RS 库存编号:: 215-5779P
制造商零件编号:: FM24C04B-GTR
制造商:: Infineon

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 最长随机存取10 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

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RS 库存编号:: 215-5779P
制造商零件编号:: FM24C04B-GTR
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	存储器大小	4kB
	产品类型	FRAM
	组织	512 x 8 位
	数据总线宽度	8Bit
	最长随机存取时间	10ns
	最高时钟频率	1MHz
	安装类型	表面
	包装类型	SOIC
	引脚数目	8
	高度	1.48mm
	标准/认证	No
	长度	4.97mm
	宽度	3.98mm
	最高工作温度	85°C
	字组数目	512
	汽车标准	AEC-Q100
	最低工作温度	-40°C
	每字组的位元数目	8
	最大电源电压	5.5V
	最低电源电压	4.5V

	选择全部
	品牌 Infineon
	存储器大小 4kB
	产品类型 FRAM
	组织 512 x 8 位
	数据总线宽度 8Bit
	最长随机存取时间 10ns
	最高时钟频率 1MHz
	安装类型表面
	包装类型 SOIC
	引脚数目 8
	高度 1.48mm
	标准/认证 No
	长度 4.97mm
	宽度 3.98mm
	最高工作温度 85°C
	字组数目 512
	汽车标准 AEC-Q100
	最低工作温度 -40°C
	每字组的位元数目 8
	最大电源电压 5.5V
	最低电源电压 4.5V

Datasheet - FM24C04B-GTR

Cypress Semiconductor FM24C04B 是采用先进 Advanced 工艺的 4 kit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 f ram 是非易失性的、执行类似于 ram 的读写操作。它提供 151 年可靠的数据保留、同时消除 eeprom 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

4-kit 铁电随机存取存储器（ f － ram ）逻辑组织为 512 x 8.

高耐受性 100 万亿（ 1014 ）读 / 写

151 年数据保留

nodelay ™写入

先进 Advanced ferroelectric process

Infineon 4 kB FRAM, 8引脚, 最长随机存取10 ns, SOIC封装, 512 x 8 位

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