STMicroelectronics 栅极驱动模块, CMOS，TTL逻辑, SO8, 2个驱动器, 8针, 17V电源, 400/650 mA输出
- RS 库存编号:
- 152-011
- 制造商零件编号:
- L6385ED013TR
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥21,115.00
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¥23,860.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 + | RMB8.446 | RMB21,115.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 152-011
- 制造商零件编号:
- L6385ED013TR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 逻辑类型 | CMOS，TTL | |
| 输出电流 | 400/650 mA | |
| 电源电压 | 17V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 30ns | |
| 封装类型 | SO8 | |
| 驱动器数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
逻辑类型 CMOS，TTL | ||
输出电流 400/650 mA | ||
电源电压 17V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 30ns | ||
封装类型 SO8 | ||
驱动器数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体简单紧凑的高压栅极驱动器采用 BCD "离线 "技术制造，能够驱动功率 MOSFET 或 IGBT 器件的半桥。高压侧（浮动）部分可在高达 600 V 的电压轨下工作。两个器件输出可分别独立汇入和汇出 650 mA 和 400 mA 电流，并可同时驱动高电平，以驱动非对称半桥配置。
上下驱动部分欠压锁定
内部自举二极管
输出与输入同相
内部自举二极管
输出与输入同相