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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB99.82 |
| 100 + | RMB92.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 264-697P
- 制造商零件编号:
- GNP1070TC-ZE2
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 输出电流 | 20A | |
| 下降时间 | 8.7ns | |
| 上升时间 | 6.9ns | |
| 最低电源电压 | 24V | |
| 最大电源电压 | 750V | |
| 最低工作温度 | -10°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | GNP1070TC NA | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
输出电流 20A | ||
下降时间 8.7ns | ||
上升时间 6.9ns | ||
最低电源电压 24V | ||
最大电源电压 750V | ||
最低工作温度 -10°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 GNP1070TC NA | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
ROHM E 模式氮化镓（GaN）场效应晶体管是一种 650V GaN HEMT，达到了业界最高级别的 FOM（Ron Ciss Ron Coss）。它属于 EcoGaN 系列产品，通过充分利用低导通电阻和高速开关，有助于提高功率转换效率并缩小尺寸。内置 ESD 保护功能，实现高可靠性设计。此外，这种多功能封装还具有出色的散热性能，便于安装。
650V E 模式 GaN FET
70mΩ 电阻
5.2nC 栅极电荷