onsemi , NCV51752CBDR2G 栅极驱动器模块 隔离栅极驱动器, SOIC-8 NB, 1个驱动器, 8引脚 30 V, 表面安装, 9 A输出
- RS 库存编号:
- 277-031
- 制造商零件编号:
- NCV51752CBDR2G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tape* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB18.018 | RMB90.09 |
| 50 - 95 | RMB17.122 | RMB85.61 |
| 100 - 495 | RMB15.858 | RMB79.29 |
| 500 - 995 | RMB14.592 | RMB72.96 |
| 1000 + | RMB14.048 | RMB70.24 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-031
- 制造商零件编号:
- NCV51752CBDR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 栅极驱动器模块 | |
| 输出电流 | 9A | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 包装类型 | SOIC-8 NB | |
| 下降时间 | 8.3ns | |
| 驱动器类型 | 隔离栅极驱动器 | |
| 输出数目 | 1 | |
| 上升时间 | 22ns | |
| 最低电源电压 | 6.5V | |
| 驱动器数目 | 1 | |
| 最大电源电压 | 30V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | NCV51752 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.75mm | |
| 标准/认证 | UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | |
| 宽度 | 6.2 mm | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 栅极驱动器模块 | ||
输出电流 9A | ||
引脚数目 8 | ||
包装类型 SOIC-8 NB | ||
下降时间 8.3ns | ||
驱动器类型 隔离栅极驱动器 | ||
输出数目 1 | ||
上升时间 22ns | ||
最低电源电压 6.5V | ||
驱动器数目 1 | ||
最大电源电压 30V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 NCV51752 | ||
长度 5mm | ||
高度 1.75mm | ||
标准/认证 UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | ||
宽度 6.2 mm | ||
安装类型 表面 | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
安森美半导体隔离式单通道栅极驱动器设计用于功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关的快速开关。它具有短且匹配的传播延迟、高 dV/dt 抗扰度以及产生负偏压轨以加快关断速度的能力。它采用紧凑型 4 mm SOIC-8 封装，支持高达 3.75 kVRMS 的隔离电压，确保了更高的可靠性。
最小 CMTI 为 200 V/ns dV/dt
输入引脚具有 5 V 负电压处理能力
典型传播延迟 36 毫微秒，最大延迟匹配 5 毫微秒
通过 AEC Q100 认证，符合汽车应用要求