onsemi 半桥MOSFET驱动器, SOIC, 1个驱动器, 16针, 贴片安装, 5V电源, 6.8 a 、 7.8 a输出
- RS 库存编号:
- 185-9281
- 制造商零件编号:
- NCV5702DR2G
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
| 3 - 624 | RMB17.177 | RMB51.53 |
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| 1251 + | RMB16.163 | RMB48.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-9281
- 制造商零件编号:
- NCV5702DR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 6.8 a 、 7.8 a | |
| 电源电压 | 5V | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 下降时间 | 7.9ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 输出数目 | 1 | |
| 驱动器类型 | MOSFET | |
| 上升时间 | 9.2ns | |
| 拓扑 | 栅极驱动器 | |
| 高压侧和低压侧相关性 | 独立 | |
| 驱动器数目 | 1 | |
| 延时 | 75ns | |
| 电桥类型 | 半桥 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 汽车标准 | AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 6.8 a 、 7.8 a | ||
电源电压 5V | ||
引脚数目 16 | ||
下降时间 7.9ns | ||
封装类型 SOIC | ||
输出数目 1 | ||
驱动器类型 MOSFET | ||
上升时间 9.2ns | ||
拓扑 栅极驱动器 | ||
高压侧和低压侧相关性 独立 | ||
驱动器数目 1 | ||
延时 75ns | ||
电桥类型 半桥 | ||
安装类型 贴片 | ||
汽车标准 AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
在 IGBT 米勒平坦区电压下具有高电流输出 (+4.0/-6.0 A)
低 VOH 和 VOL
有源 Miller 钳位
DESAT 保护，带可编程延时
减少切换损耗和缩短切换时间
全面增强的 IGBT
可防止寄生栅极开启
增强型可编程保护
应用
最终产品
直流-交流变频器
电池充电器
汽车 PTC 加热器
车载充电器
XEV 充电器
汽车动力传动系统逆变器
行驶逆变器
低 VOH 和 VOL
有源 Miller 钳位
DESAT 保护，带可编程延时
减少切换损耗和缩短切换时间
全面增强的 IGBT
可防止寄生栅极开启
增强型可编程保护
应用
最终产品
直流-交流变频器
电池充电器
汽车 PTC 加热器
车载充电器
XEV 充电器
汽车动力传动系统逆变器
行驶逆变器