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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | RMB12.629 | RMB12,629.00 |
| 2000 - 3000 | RMB12.376 | RMB12,376.00 |
| 4000 + | RMB12.129 | RMB12,129.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 221-6663
- 制造商零件编号:
- NCV57090BDWR2G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 输出电流 | 6.5 A | |
| 电源电压 | 22V | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 下降时间 | 13ns | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 驱动器类型 | IGBT | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
输出电流 6.5 A | ||
电源电压 22V | ||
引脚数目 8 | ||
下降时间 13ns | ||
封装类型 SOIC | ||
驱动器类型 IGBT | ||
on ON Semiconductor NCD57090 是高−μ a 电流单通道 ignt/mosfet 栅极驱动器、具有 5 krms 内部电化隔离、设计用于在高功率应用中实现高系统效率和可靠性。该设备接受补充输入、并根据引脚配置提供多种选项、如有 Miller 夹、负极电源和单独的高和低驱动器输出、以方便系统设计。
高瞬时抗扰性
高电磁抗扰性
短传播延迟、具有精确匹配
高电磁抗扰性
短传播延迟、具有精确匹配